お知らせ

第17回関西表面技術フォーラムで優秀講演賞を受賞

 2015年11月26~27日に開催されました「第17回関西表面技術フォーラム」におきまして、研究開発推進機構特任研究員(助教)の川口健次先生が「優秀講演賞」を受賞されました。

 川口先生は、FE-SEMで1 kVの低加速入射電子によりIrO2-Ta2O5混合酸化物被覆電極で起こる酸素発生と鉛イオンの酸化に対するそれぞれの活性サイトを明らかにすることに成功し、その研究内容が高く評価されました。

この電極は、本学が米国企業へ特許実施許諾している技術であり、現在、電解採取用陽極として実用化されています。


 詳細につきましては、
http://se.doshisha.ac.jp/doc/news/2014/20151211.html
をご覧ください。