同志社工業専門学校昭和24年卒電気科、電気通信科同窓会を下記のとおり開催いたします。
同窓会としては最後の会となります。
日時:平成24年10月17日(水) 11時30分
場所:烏丸今出川上る 同志社大学「寒梅館《7階 SECOND HOUSE WILL
Tel 075-251-0200
会費:¥6,000
※当日記念品をお渡しいたします。
※なお、会場へのエレバーターは11時30分に運転します。その間は1階で休憩、ご歓談ください。
以上
電 気 科世話人 小滝 一夫、村上 章
電気通信科世話人 豊永 俊郎、山田 寛治
先週、9月3日~7日の5日間にわたって日本自動車技術会・自動車工業会主催(文科省、経産省他協賛)の2012年度第10回全日本学生フォーミュラ大会が開催されました。
本年度の大会本戦には全国から設計審査で選ばれた75校と海外11校の86校の参加がありました。海外は、中国、インド、タイなどです。
本大会は、「我が国の自動車産業の発展に寄与するための、学生の「ものづくり育成の場」です。学生の自主的なものづくりの総合能力を養成し、将来の自動車産業を担う人材を育てるための公益活動と位置づけ、2003年にスタートしました」(JSAE WEBより)。
既に20年以上の歴史を持つアメリカでの同種の大会(SAE主催)に準拠しています。したがって、規則等は英語で書かれたマニュアルで提供されます。
同志社大学のチーム(DUFP: Doshisha University Formula Project)は第1回大会より参加していますが、これまでリタイヤも多く、10位以内に入ることはできませんでした。プロジェクト科目「ひとつくり、ものつくり」と機械研究会の合同で編成されるチームのメンバーは、1~3年生のみで、他校のように4年生や大学院生は全く参加していません。3年生といっても、9月の大会ですから、2年半の経験しかありません。設計・製作は大会前年度の10月から始まるため、1年半しか経験のない2年生がリーダとなって活動が開始します(高校野球とよく似て、3年生は10月の時点でリタイアします)。
限られた予算、限られた方々からの支援により活動してきました。経済不況とともに外部支援も細りながらもメンバーのものつくり、9位以内を目指す意気込みは高く、本年度も昨年同様高い志をもって参加しました。最近の3か年はフル完走を達成し、技術の塾生もできてきました。苦節10年とはよく言いますが、本年度はついに総合3位入賞という快挙を成し遂げることができました。
個々にご報告するとともに、メンバーの学生諸君の働きを誇りに感じる次第です。今後とも、皆様のご支援をお願い申し上げます。
プロジェクト科目担当:中村成夫
科目代表:藤井 透
機械研究会顧問 千田二郎
2011年11月6日(日)に京田辺キャンパスでの同志社京田辺祭2011(クローバー祭)にあわせ、総会とリユニオンの開催を予定しております。
開催日時:2011年11月6日(日) 13:00~18:00
開催場所:京田辺キャンパス
13:00~14:30 理工学部研究室公開 (理工学部OBのみ※)
※事前に事務局へご連絡ください。
14:30~15:00 総 会 恵道館1階104教室
決議事項
1. 2010年度事業報告の件
2. 2010年度会計報告承認及び監査報告の件
3. 2011年度事業計画及び予算承認の件
4. 次期役員選出
5. その他
15:15~16:45 「はやぶさ」講演会 恵道館1階104教室
講師:NEC航空宇宙システム シニアエキスパート 小笠原 雅弘氏
『もう一度、エンジンに灯をともそう~「はやぶさ」が教えてくれたこと~』
http://www.nec.co.jp/ad/hayabusa/
17:00~18:30 理工学部同窓会 リユニオン懇親会(紫苑館生協食堂)
暖かな春の日差しの中、2011年5月14日(土曜日) 同志社大学京田辺キャンパス 紫苑館2階のスペースプラザにて、ゼミ同窓会委員(修士院生)・同窓会役員など、37名の方々にご参加いただき、懇談会を開催致しました。
1. 同窓会会長挨拶 橋詰 源治
2. 幹事長より活動紹介及びお願い 大鉢 忠
3. 各ゼミ同窓会委員及び同窓会役員の紹介
同窓会委員は卒業時に各ゼミで大学院進学者を中心に選出いただくため、懇親を深める意味で開催しました。今年は4年に一度の吊簿調査と、新事業として、ゼミ毎のホームページを立ち上げる計画で、各ゼミの同窓会委員の方々へ協力を得る要請がなされました。
昼食のお弁当を食べながら、日頃あまり交流のない他学科・他研究室の院生達との意見交換や理工学部の卒業生でもある同窓会役員の方々との情報交換など、和やかな雰囲気の中、終了致しました。
工学部電気学科卒業50周年を迎えられた昭和32年電気学科卒七夕会の有志28名の賛同により2007(平成19)年3月6日京田辺キャンパス 有徳館西館中庭において、ハンカチの木の植樹が行われたことはDoKoネット9号の「ひとことエッセー」で紹介されています。
ハンカチの木は植樹の翌年には花が咲かず、2年目の2009年に開花しましたが、木の真ん中から上が枯れていました。原因は木の根っこの土が悪かったようで、土を入れ替えての再植樹により、2年目の本年2011年4月末からゴールデンウィークの写真のように満開のハンカチの木がお目見え致しました。
昭和32年電気学科卒業七夕会の森 淳さん、奥村 八郎さんが連休後の5月7日に大学を訪問され、電気系学科の学生さん達と記念写真を撮られました。七夕会の皆様、ありがとうございました。
東京オリンピックの年1964(昭和39)年3月に卒業した電気工学科同期生29名が米原のリゾートホテル「エクシブ琵琶湖」に集い、古稀の記念同期会を持ちました。
2011年4月9日 13時 大学に集合 京田辺キャンパス 有徳館西館YE514
13時~14時30分 歓談、花見
14時30分 マイクロバスでエクシブ琵琶湖へ向け出発
16時 エクシブ琵琶湖到着
18時 同期会 懇親・懇談会
4月10日 午前 現地解散
解散後、三三五五に長浜「黒壁の町《あるいは「彦根城下《散策
1994年4月に工学部が今出川から京田辺キャンパスへ統合移転をしましたが、昭和39年電気工学科卒業生のメンバーは、丁度卒業30周年(1994年)の同期会を開催した際、桜の木2本の記念椊樹をし、その後、毎年恒例の春のお花見会を4月の第一土曜日に開催しておりました。今年は古稀のお祝いも兼ねて一週間遅くし、お花見後、一泊の旅行を計画致しました。
<名誉文化博士号贈呈式>
2011年1月20日(木)10時30分より今出川キャンパス 神学館礼拝堂において、名誉文化博士号贈呈式が執り行われました。八田英二学長より名誉学位記贈呈の後、東信行理工学研究所所長の補助で八田学長からガウンが贈られました。
下記の写真は、ガウンが贈られた後、握手する山崎舜平名誉博士と八田学長。その後、山崎名誉博士より挨拶があり、賛美歌の中贈呈式は終了致しました。
<加藤・山﨑記念基金 特別講演会>
2011年1月21日(金) 15時00分より京田辺キャンパス 恵道館301教室において、山崎舜平氏による講演会が開催されました。
講演題目:「加藤与五郎先生から学ぶ師弟について」
参加者からの質疑応答の後、花束の贈呈が行われ、16時30分講演会は盛況のうちに終了致しました。
下記に講演会風景を掲載致します。
講演会を下記のとおり開催致しますので御案内申し上げます。
記
日時:2011年2月9日(水) 13:00~15:30
場所:恵道館204講義室 (KD‐204)
講 師: ①ITER機構 セントラルインテグレーション&エンジニアリング部門 オペレーションセクション、シニアオフィサー(RAMI担当)
岡山 克巳氏
演 題: 「地上にミニ太陽を-核融合エネルギーの平和利用とITERプロジェクト」
<講演内容>
ITER(国際熱核融合実験炉)は、平和目的の核融合エネルギーが科学技術的に成立することを実証する為に、人類初の核融合実験炉を実現しようとする超大型国際プロジェクトです。世界7極から南フランスのカダラッシュに集まったスタッフが中心となり、これまで各国が個別に進めてきたトカマク型核融合炉の開発成果を元に、最先端技術を投入しながら開発を進めています。日本は準ホスト国としてプロジェクトをリードする立場にあり、多くの分野で先頭に立ってプロジェクトを引っ張っています。本講演ではITERの概要およびその重要性を説明し、更に私がITERと関わりを持つことになったきっかけや実際にITER計画に携わっている立場から、日々の業務や国際プロジェクトで働く意義やチャレンジ、将来展望などについてもお話したいと思います。
講 師: ②日新イオン機器株式会社 I/I事業センター プロセスエンジニアリンググループ
宮本 直樹氏
演 題: 「プラズマ技術の産業応用-半導体製造とイオン注入-」
<講演内容>
宇宙の99%を占めると言われるプラズマに対する理解と制御技術の進展に伴って、プラズマ技術は学術目的から産業界への適用が進んできた。古くは蛍光灯もその光源はグロー放電と言うプラズマの一種である。それ以外にも産業界の様々な分野での、プラズマ技術の応用が進んでいる。現在、コンピュータや情報・通信機器のみならず、家電製品や自動車、果ては玩具に至るまで、多くの半導体が用いられている。これらの半導体は、1チップあたり数万~数億個もの微細なトランジスタを集積したものである。この微細なトランジスタの製造における薄膜形成、エッチングそして不純物注入においては、プラズマを用いた技術が必須となっている。講演では、プラズマ技術の進展を概観した後、現在の半導体の構造とそれを製造するためのプラズマ技術、特に不純物イオン注入技術の進展について報告する。